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| 徳島文理大学短期大学部 |
| 科目番号 | 20023 | 担当教員名 | 梶山 博司 | 単位 | 2単位 |
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| 科目群 | 専門 | 必修・選択 | 選択 | 開講期 | 前期 | 対象年次 | 1.2年 |
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| 授業概要 |
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| 半導体材料の基本的性質、伝導機構、製造プロセス、デバイス応用について総合的に学修する。 |
| 到達目標 |
| 半導体材料について以下の３項目を理解する。（１）半導体の基本的性質、キャリア輸送現象、pn接合（２）発光遷移と光吸収過程、発光ダイオード、半導体レーザ、光検出器、太陽電池の駆動原理、（３）結晶成長、酸化、微細加工プロセス. |
| 授業計画 | 授業形態 | 授業時間外学習 | |
|---|---|---|---|
| 【1】 | エネルーバンドとキャリア密度 | 講義および演習 | 講義の復習および演習問題解答 |
| 【2】 | エネルーバンドとキャリア密度 | 講義および演習 | 講義の復習および演習問題解答 |
| 【3】 | キャリア輸送現象 | 講義および演習 | 講義の復習および演習問題解答 |
| 【4】 | キャリア輸送現象 | 講義および演習 | 講義の復習および演習問題解答 |
| 【5】 | キャリア輸送現象 | 講義および演習 | 講義の復習および演習問題解答 |
| 【6】 | フォトニックデバイス | 講義および演習 | 講義の復習および演習問題解答 |
| 【7】 | フォトニックデバイス | 講義および演習 | 講義の復習および演習問題解答 |
| 【8】 | フォトニックデバイス | 講義および演習 | 講義の復習および演習問題解答 |
| 【9】 | 結晶成長とエピタクシー | 講義および演習 | 講義の復習および演習問題解答 |
| 【10】 | 結晶成長とエピタクシー | 講義および演習 | 講義の復習および演習問題解答 |
| 【11】 | 結晶成長とエピタクシー | 講義および演習 | 講義の復習および演習問題解答 |
| 【12】 | 酸化および薄膜の堆積 | 講義および演習 | 講義の復習および演習問題解答 |
| 【13】 | 酸化および薄膜の堆積 | 講義および演習 | 講義の復習および演習問題解答 |
| 【14】 | 拡散およびイオン注入 | 講義および演習 | 講義の復習および演習問題解答 |
| 【15】 | リソグラフィーとエッチング | 講義および演習 | 講義の復習および演習問題解答 |
| 評価方法 |
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| 出席、演習レポート |
| 教科書 |
| 参考図書 |
| S. M. ジー、半導体でデバイス、産業図書 |
| 備考 |
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| 集中講義にて実施する。 オフィスアワー：月曜日５講時＠梶山研究室１８号館４階３４３２室） |