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| 徳島文理大学短期大学部 |
| 科目番号 | 10217 | 担当教員名 | 松田 和典 | 単位 | 2単位 |
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| 科目群 | 専門 | 必修・選択 | 選択 | 開講期 | 後期 | 対象年次 | 1,2,3年 |
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| 授業概要 |
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| 光エレクトロニクス関連の材料には多くのものがある．情報関連の発光ダイオード(LED)，レーザー・ダイオード(LD)，照明関連の蛍光灯，ディスプレイ関連のテレビ，PC液晶モニター等々である．本授業ではこれらの材料の基本である半導体の物性と評価法について学ぶ． |
| 到達目標 |
| 【知識(理解)】半導体デバイスの機能・評価技術・分析技術について理解する． 【態度(関心・意欲)】高度情報化時代における半導体テクノロジーについて認識することができる． 【技能(表現)】半導体の物性評価法の基本的な技術について理解し，説明できる． 【思考・判断】半導体デバイスの機能や製造法について半導体特有の物性から考えることができる． |
| 授業計画 | 授業形態 | 授業時間外学習 | |
|---|---|---|---|
| 【1】 | イントロダクション | ・講義 | 【予習】 学部で習った半導体物性について復習しておく(1時間半) 【復習】授業で出した課題(1時間半） |
| 【2】 | 半導体評価技術�機閉餽確┐梁�定） | ・講義 | 【復習】 授業で出した課題(1時間半） |
| 【3】 | 半導体評価技術�供淵曄璽觚�果測定法） | ・講義 | 【復習】 授業で出した課題(1時間半） |
| 【4】 | 半導体評価技術�掘�C-V測定） | ・講義 | 【復習】 授業で出した課題(1時間半） |
| 【5】 | 半導体評価技術�検淵薀ぅ侫織ぅ爐�よび拡散長の測定） | ・講義 | 【復習】 授業で出した課題(1時間半） |
| 【6】 | 半導体評価技術�后�DLTS法） | ・講義 | 【復習】 授業で出した課題(1時間半） |
| 【7】 | 半導体評価技術�此�EBIC法） | ・講義 | 【復習】 授業で出した課題(1時間半） |
| 【8】 | 微量不純物の分析�機弊岾圧杣�） | ・講義 | 【復習】 授業で出した課題(1時間半） |
| 【9】 | 微量不純物の分析�供米鷦．ぅ�ン質量分析法SIMS） | ・講義 | 【復習】 授業で出した課題(1時間半） |
| 【10】 | 微量不純物の分析�掘癖�射化分析） | ・講義 | 【復習】 授業で出した課題(1時間半） |
| 【11】 | 微量不純物の分析�検淵侫�トルミネセンス法） | ・講義 | 【復習】 授業で出した課題(1時間半） |
| 【12】 | 微量不純物の分析�后�X線マイクロアナライザ） | ・講義 | 【復習】 授業で出した課題(1時間半） |
| 【13】 | 微量不純物の分析�后文胸匍杆�法） | ・講義 | 【復習】 授業で出した課題(1時間半） |
| 【14】 | 微量不純物の分析�此�ICP） | ・講義 | 【復習】 授業で出した課題(1時間半） |
| 【15】 | まとめ | ・講義 | 【復習】 授業で出した課題(1時間半） |
| 評価方法 |
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| 出席，授業態度，レポートにより評価する． |
| 教科書 |
| 参考図書 |
| シリコンの物性と評価法（小間篤・白木靖寛・斉木幸一朗・飯田厚夫著，丸善） |
| 備考 |
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| 【オフィスアワー】月・火・木5時限，松田研究室 【実務経験】1982年〜1986年まで企業（東芝）、1986年〜2006年まで大学（浜松医科大学、鳴門教育大学・兵庫教育大学院連合，イリノイ大学アーバナ・シャンペーン校） |