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| 徳島文理大学短期大学部 |
| 科目番号 | 11038 | 担当教員名 | 松田 和典 | 単位 | 2単位 |
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| 科目群 | 専門 | 必修・選択 | 選択 | 開講期 | 後期 | 対象年次 | 3年 |
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| 授業概要 |
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| 卒業研究において必要な実験手法・技術を学ぶ。 |
| 到達目標 |
| 【知識(理解)】半導体デバイスの機能・仕組みと製造技術について理解する． 【態度(関心・意欲)】半導体製造技術が現在も進展し，新しい分野が開けていることについて認識することができる． 【技能(表現)】基本的な半導体製造プロセス技術を習得する. 【思考・判断】半導体デバイスの機能や製造法について半藤体特有の物性から考えることができる． |
| 授業計画 | 授業形態 | 授業時間外学習 | |
|---|---|---|---|
| 【1】 | 半導体技術概論（序論） | 演習 | 【事前】配布資料を読んで予習する(1時間半）【事後】与えられた課題を行う（1時間半） |
| 【2】 | 半導体技術概論（半導体の基礎） | 演習 | 【事前】配布資料を読んで予習する(1時間半）【事後】与えられた課題を行う（1時間半） |
| 【3】 | マイクロ・ナノデバイス概論（ｐｎダイオード） | 演習 | 【事前】配布資料を読んで予習する(1時間半）【事後】与えられた課題を行う（1時間半） |
| 【4】 | マイクロ・ナノデバイス概論（太陽電池） | 演習 | 【事前】配布資料を読んで予習する(1時間半）【事後】与えられた課題を行う（1時間半） |
| 【5】 | マイクロ・ナノデバイス概論（ショットキーダイオード） | 演習 | 【事前】配布資料を読んで予習する(1時間半）【事後】与えられた課題を行う（1時間半） |
| 【6】 | マイクロ・ナノデバイス概論（ＭＯＳキャパシタ） | 演習 | 【事前】配布資料を読んで予習する(1時間半）【事後】与えられた課題を行う（1時間半） |
| 【7】 | マイクロ・ナノデバイス概論（ＭＯＳＦＥＴ） | 演習 | 【事前】配布資料を読んで予習する(1時間半）【事後】与えられた課題を行う（1時間半） |
| 【8】 | 電子デバイス計測実習（計測技術） | 演習 | 【事前】配布資料を読んで予習する(1時間半）【事後】与えられた課題を行う（1時間半） |
| 【9】 | 電子デバイス計測実習（ＩＶ特性） | 演習 | 【事前】配布資料を読んで予習する(1時間半）【事後】与えられた課題を行う（1時間半） |
| 【10】 | 電子デバイス計測次週（ＣＶ特性） | 演習 | 【事前】配布資料を読んで予習する(1時間半）【事後】与えられた課題を行う（1時間半） |
| 【11】 | 電子デバイス作製実習（ｐｎダイオード） | 実習 | 【事前】配布資料を読んで予習する(1時間半）【事後】与えられた課題を行う（1時間半） |
| 【12】 | 電子デバイス作製実習（太陽電池） | 実習 | 【事前】配布資料を読んで予習する(1時間半）【事後】与えられた課題を行う（1時間半） |
| 【13】 | 電子デバイス作製実習（ショットキーダイオード） | 実習 | 【事前】配布資料を読んで予習する(1時間半）【事後】与えられた課題を行う（1時間半） |
| 【14】 | 電子デバイス作製実習（ＭＯＳキャパシタ） | 実習 | 【事前】配布資料を読んで予習する(1時間半）【事後】与えられた課題を行う（1時間半） |
| 【15】 | まとめ | 発表 | 【事前】配布資料を読んで予習する(1時間半）【事後】与えられた課題を行う（1時間半） |
| 評価方法 |
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| 実験ノートを渡し，データ記入，解析などノートのまとめ方，および口頭試問について評価する． 試験の解答：グーグルクラスルームに掲示 |
| 教科書 |
| 配布資料． |
| 参考図書 |
| 「入門固体物性 基礎からデバイスまで」斎藤他著，共立出版 |
| 備考 |
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| 授業計画の１項目につき、２コマ連続して授業を行う。 【オフィスアワー】水・木5時限，18号館4F3435 【科目コード】EBNX310S 【クラスコード】zlxgonb 【実務経験】1982年〜1986年まで企業（東芝）、1986年〜2006年まで大学（浜松医科大学、鳴門教育大学・兵庫教育大学院連合，イリノイ大学アーバナ・シャンペーン校） |