| 授業計画 | 授業形態 | 授業時間外学習 |
|---|
| 【1】 | 半導体技術概論（序論） | 演習 | 【事前】配布資料を読んで予習する(1時間半）【事後】与えられた課題を行う（1時間半） |
| 【2】 | 半導体技術概論（半導体の基礎） | 演習 | 【事前】配布資料を読んで予習する(1時間半）【事後】与えられた課題を行う（1時間半） |
| 【3】 | マイクロ・ナノデバイス概論（ｐｎダイオード） | 演習 | 【事前】配布資料を読んで予習する(1時間半）【事後】与えられた課題を行う（1時間半） |
| 【4】 | マイクロ・ナノデバイス概論（太陽電池） | 演習 | 【事前】配布資料を読んで予習する(1時間半）【事後】与えられた課題を行う（1時間半） |
| 【5】 | マイクロ・ナノデバイス概論（ショットキーダイオード） | 演習 | 【事前】配布資料を読んで予習する(1時間半）【事後】与えられた課題を行う（1時間半） |
| 【6】 | マイクロ・ナノデバイス概論（ＭＯＳキャパシタ） | 演習 | 【事前】配布資料を読んで予習する(1時間半）【事後】与えられた課題を行う（1時間半） |
| 【7】 | マイクロ・ナノデバイス概論（ＭＯＳＦＥＴ） | 演習 | 【事前】配布資料を読んで予習する(1時間半）【事後】与えられた課題を行う（1時間半） |
| 【8】 | 電子デバイス計測実習（計測技術） | 演習 | 【事前】配布資料を読んで予習する(1時間半）【事後】与えられた課題を行う（1時間半） |
| 【9】 | 電子デバイス計測実習（ＩＶ特性） | 演習 | 【事前】配布資料を読んで予習する(1時間半）【事後】与えられた課題を行う（1時間半） |
| 【10】 | 電子デバイス計測次週（ＣＶ特性） | 演習 | 【事前】配布資料を読んで予習する(1時間半）【事後】与えられた課題を行う（1時間半） |
| 【11】 | 電子デバイス作製実習（ｐｎダイオード） | 実習 | 【事前】配布資料を読んで予習する(1時間半）【事後】与えられた課題を行う（1時間半） |
| 【12】 | 電子デバイス作製実習（太陽電池） | 実習 | 【事前】配布資料を読んで予習する(1時間半）【事後】与えられた課題を行う（1時間半） |
| 【13】 | 電子デバイス作製実習（ショットキーダイオード） | 実習 | 【事前】配布資料を読んで予習する(1時間半）【事後】与えられた課題を行う（1時間半） |
| 【14】 | 電子デバイス作製実習（ＭＯＳキャパシタ） | 実習 | 【事前】配布資料を読んで予習する(1時間半）【事後】与えられた課題を行う（1時間半） |
| 【15】 | まとめ | 発表 | 【事前】配布資料を読んで予習する(1時間半）【事後】与えられた課題を行う（1時間半） |
