徳島文理大学

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徳島文理大学短期大学部

【科目名】    プロジェクトラボB(Project Laboratory-experiments B)

科目番号11112担当教員名松田 和典単位2単位
科目群専門必修・選択選択開講期後期 対象年次3年
授業概要
卒業研究において必要な実験手法・技術を学ぶ。
到達目標
【知識(理解)】半導体デバイスの機能・仕組みと製造技術について理解する.
【態度(関心・意欲)】半導体製造技術が現在も進展し,新しい分野が開けていることについて認識することができる.
【技能(表現)】基本的な半導体製造プロセス技術を習得する.
【思考・判断】半導体デバイスの機能や製造法について半藤体特有の物性から考えることができる.
授業計画授業形態授業時間外学習
【1】半導体技術概論(序論)演習【事前】配布資料を読んで予習する(1時間半)【事後】与えられた課題を行う(1時間半)
【2】半導体技術概論(半導体の基礎)演習【事前】配布資料を読んで予習する(1時間半)【事後】与えられた課題を行う(1時間半)
【3】マイクロ・ナノデバイス概論(pnダイオード)演習【事前】配布資料を読んで予習する(1時間半)【事後】与えられた課題を行う(1時間半)
【4】マイクロ・ナノデバイス概論(太陽電池)演習【事前】配布資料を読んで予習する(1時間半)【事後】与えられた課題を行う(1時間半)
【5】マイクロ・ナノデバイス概論(ショットキーダイオード)演習【事前】配布資料を読んで予習する(1時間半)【事後】与えられた課題を行う(1時間半)
【6】マイクロ・ナノデバイス概論(MOSキャパシタ)演習【事前】配布資料を読んで予習する(1時間半)【事後】与えられた課題を行う(1時間半)
【7】マイクロ・ナノデバイス概論(MOSFET)演習【事前】配布資料を読んで予習する(1時間半)【事後】与えられた課題を行う(1時間半)
【8】電子デバイス計測実習(計測技術)演習【事前】配布資料を読んで予習する(1時間半)【事後】与えられた課題を行う(1時間半)
【9】電子デバイス計測実習(IV特性)演習【事前】配布資料を読んで予習する(1時間半)【事後】与えられた課題を行う(1時間半)
【10】電子デバイス計測次週(CV特性)演習【事前】配布資料を読んで予習する(1時間半)【事後】与えられた課題を行う(1時間半)
【11】電子デバイス作製実習(pnダイオード)実習【事前】配布資料を読んで予習する(1時間半)【事後】与えられた課題を行う(1時間半)
【12】電子デバイス作製実習(太陽電池)実習【事前】配布資料を読んで予習する(1時間半)【事後】与えられた課題を行う(1時間半)
【13】電子デバイス作製実習(ショットキーダイオード)実習【事前】配布資料を読んで予習する(1時間半)【事後】与えられた課題を行う(1時間半)
【14】電子デバイス作製実習(MOSキャパシタ)実習【事前】配布資料を読んで予習する(1時間半)【事後】与えられた課題を行う(1時間半)
【15】電子デバイス作製実習(MOSFET)実習【事前】配布資料を読んで予習する(1時間半)【事後】与えられた課題を行う(1時間半)
評価方法
実験ノートを渡し,データ記入,解析などノートのまとめ方,および口頭試問について評価する.
教科書
配布資料.
参考図書
「入門固体物性 基礎からデバイスまで」斎藤他著,共立出版
備考
授業計画の1項目につき、2コマ連続して授業を行う。
【オフィスアワー】水・木5時限,18号館4F3435
【実務経験】1982年〜1986年まで企業(東芝)、1986年〜2006年まで大学(浜松医科大学、鳴門教育大学・兵庫教育大学院連合,イリノイ大学アーバナ・シャンペーン校)